APS系列晶圆厚度/TTV/翘曲自动测量设备

适用于硅片Si、化合物(GaAs, InP, SiC, GaN)样片的整体厚度检测及TTV/BOW/Warp翘曲等参数检测，该设备可以兼容透明片和不透明片。

采用非接触的测量方式，测量精准，可快速测试。采用白光光源，上下双探头设计，测试时样片放置在上下两个探头的中间位置，一次测试可以快速地提供样片厚度及几何参数相关的所有信息：厚度，TTV,Bow,Warp,TIR,LTV等，同时该设备也可搭载红外干涉的探头。

产品特性

全自动测量

极简操作，轻松在线编程设定，自动测量，可Mapping模式

测量功能强大

一次测试可以同时获取全部数据：厚度，TTV,Bow,Warp,TIR,LTV等。

测量速度快

支持飞点采样，快速完成测量，节约生产时间

应用场景广泛

APS系列可以适应多种不同产品，不同场景，不同需求，为您提供最优方案

APS使用场景介绍

退火工艺

退火过程中因玻璃板上下表面或横向温差导致热应力分布不均， 易产生永久性翘曲缺陷。测量 TTV、翘曲可优化退火温度曲线，减少残余应力。

化学机械抛光（CMP）工艺

TTV 直接影响抛光均匀性，若厚度差异过大可能导致局部残留应力或表面粗糙度超标。同时，BOW/WARP 的测量可避免因晶圆弯曲导致的抛光液分布不均。

薄膜沉积工艺

凸凹不平的晶圆表面会导致薄膜厚度不均匀，影响后续光刻图案精度。TTV 测量确保沉积前基底的厚度一致性， 而 WARP 参数控制整体形变对薄膜质量的影响。

光刻工艺

翘曲会改变光刻胶的聚焦深度，导致曝光不均和套刻误差。 BOW/WARP 的实时监测可优化光刻机对准参数，减少 Overlay 残留。 此外，TTV 异常可能引发显影不充分或侧壁轮廓缺陷。

化学气相沉积（CVD） 等离子化学气相沉积（PCVD）

这些工艺合成石英玻璃时，需通过 TTV 测量控制沉积均匀性， 避免因厚度差异导致后续加工﹙如切割、磨抛﹚产生裂纹或形变。

晶圆装载与传输工艺

凸起的晶圆在自动化装载过程中易损坏设备，TTV/BOW/WARP 测量可筛选出形变超标的晶圆，保障产线良率。 例如，碳化硅晶圆在切割后需通过测量优化研磨抛光参数。

减薄工艺

减薄过程中残余应力释放易导致晶圆翘曲，需通过 TTV/BOW 监测控制减薄量，避免碎片风险。 退火工艺前后的测量可量化应力释放效果。

表面平整加工

双面研磨可修正翘曲度（修正值约 3.5μm)，而 TTV 在切割阶段误差最大(7.5μm)，后续需通过铜盘研磨和化学机械抛光逐步降低至 1.5μm 以下

封装前检测

TTV/WARP 参数影响芯片键合精度和电学性能， 封装厂需在晶圆出厂前验证形貌参数符合标准

超高测量精度

厚度重复精度   透射：0.02μm   对射：0.2μm

TTV重复精度    透射：0.015μm   对射：0.15μm

Bow﹑Warp重复精度   对射：0.5μm   反对射：0.3μm

超高检测效率

最快可达250mm/s的运行速度

支持逐行扫描，米字扫描，自定义坐标扫描

4线米字扫描，6英寸≤20s

5mm间隔fullmap面扫，6英寸≤65s

逐点扫描每点时间＜1s

超便捷的使用体验

全自动测量：极简操作，轻松在线编程设定，自动测量

离线分析：可调取原始数据进行二次特定分析

丰富的配方库：程序库，坐标库，材料配置库，灵活调取使用

详细的数据管理：专业的数据管理系统方便进行数据保存和追溯

OCR自动读取：可自动读取 WaferID（需要将 ID 放置到指定区域范围）