将高分辨率场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）的成像和分析性能与新一代聚焦离子束（FIB）的加工能力相结合。无论在科研机构还是工业实验室，您都可以在多用户实验平台中工作。利用蔡司Crossbeam的模块化平台概念，根据日益增长的需求升级您的系统，例如使用LaserFIB进行大规模材料加工。在切割、成像或执行三维分析时，Crossbeam将提升您的FIB应用效率。
使您的SEM具备强大的洞察力
提升您的FIB样品制备效率
在您的FIB-SEM分析中体验出色的三维空间分辨率
使您的SEM具备强大的洞察力
使用Gemini电子光学系统从高分辨率扫描电子显微镜（SEM）图像中获取真实的样品信息。
在进行敏感表面二维成像或三维断层扫描时，Crossbeam的SEM性能值得您信赖。
加速电压非常低时也可获得高分辨率、高衬度和高信噪比的清晰图像。
借助一系列探测器实现样品的全方位表征。使用独特的Inlens EsB探测器获得更纯的材料成分衬度。
研究不受荷电伪影干扰的非导电样品。
提升您的FIB样品制备效率
智能FIB扫描策略快速且精准，移除材料比以往实验快40%以上。
Ion-sculptor FIB镜筒采用了一种全新的加工方式：您可以尽可能减少样品损伤，提升样品质量，从而加快实验进程。
使用高达100 nA的离子束束流，高效而精准地处理样品，并保持高FIB分辨率。
制备TEM样品时使用Ion-sculptor FIB的低电压功能，以获得超薄样品，同时尽可能降低非晶化损伤。
在您的FIB-SEM分析中体验出色的三维空间分辨率
体验整合的三维EDS和EBSD分析所带来的优势。
在切割、成像或执行三维分析时，Crossbeam将提升您的FIB应用效率。
使用我们快速准确的断层扫描及分析软硬件包蔡司Atlas 5来扩展您的Crossbeam的性能。
使用Atlas 5中集成的三维分析模块可在断层扫描的过程中进行EDS和EBSD分析。
尽享FIB-SEM断层扫描中优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸。使用Inlens EsB探测器探测小于3 nm的深度，并可获得表面敏感的材料成分衬度图像。
在切割过程中收集连续切片图像以节省时间。可追踪的三维体素尺寸和图像质量自动控制流程让您获益匪浅。
SEM电子光学系统
有两种镜筒可供选择
和所有蔡司FE-SEM一样，Crossbeam的FE-SEM镜筒基于Gemini 1 VP镜筒的电子光学系统。有Crossbeam 350的Gemini VP镜筒或Crossbeam 550的Gemini 2镜筒可供选择。
FE-SEM专为高分辨率成像设计，性能的一个关键是其电子光学镜筒。Gemini技术支持所有蔡司FE-SEM和FIB-SEM，它经特别设计，旨在为您呈现任何样品的优异分辨率（尤其在低加速电压下），可实现完整高效的探测，且操作简单。
Gemini电子光学系统有以下三个主要特征
Gemini物镜的设计结合了静电场与电磁场，在大幅提升光学性能的同时大大降低了对样品的影响。如此也可实现对磁性材料等具有挑战性的样品的高品质成像。
Gemini电子束推进器技术是一种集成光束减速器，确保了小尺寸的电子束斑和高信噪比。
Gemini Inlens的探测设计原理通过同时探测二次电子（SE）和背散射电子（BSE），大幅缩短到图像的时间，确保了高效的信号探测。
从您的FIB-SEM应用中受益
SEM电子束对准可长期保持稳定，改变探针电流和加速电压对系统几乎没有影响
无磁场泄露的光学系统可实现大视野无失真高分辨率成像
样品倾斜转动时不影响电子光学系统的性能
带Gemini 2的Crossbeam 550
✔ 基于双聚光镜系统，在低电压大束流下仍可获得高分辨率图像。
✔ 通过高分辨率成像及快速分析技术可在短时间内获得更多信息。
✔ 使用Inlens SE和EsB（能量选择背散射）探测器实现形貌及材料成分衬度同时成像
一种全新的FIB处理方式
Ion-sculptor FIB镜筒可在不影响加工精度的情况下加快您的FIB工作，让您尽享该设备对任何样品的低电压性能所带来的优势。
Crossbeam系列配有新一代聚焦离子束镜筒Ion-sculptor，具有针对高通量的高电流，以及可实现样品高质量的出色低电压。
充分利用Ion-sculptor FIB镜筒在低电压下的出色性能来提升样品质量
尽可能减少样品的非晶化并在减薄后获得出色结果
产品具备全面稳定性，确保获得精准且可重复的结果
通过快速探针电流交换加速FIB应用
借助高达100 nA的电子束流进行高通量实验
实现小于3 nm的出色的FIB分辨率
Crossbeam系列配有用于长期实验的自动FIB发射恢复功能
冀公网安备13110802000160号