利用极向/纵向磁光克尔效应(MOKE)，快速全局检测晶圆膜堆的磁性。非接触式测量，避免了传统磁性表征对晶圆的破坏，可应用于图形化前后的样品检测。可提供高达2.5 T的垂直磁场，高达1.4 T的面内磁场。强磁场可诱导垂直各向异性磁性随机存储器(MRAM)膜堆的自由层、参考层与钉扎层的翻转。超高克尔检出灵敏度，可以单次同时表征不同膜层的细微磁性变化。将激光逐点探测与扫描成像结合，可以快速创建晶圆磁特性全局图谱，辅助工艺优化与良率控制。
样品尺寸 | 12英寸向下兼容，支持碎片测试 |
磁场 | 垂直磁场±2.4 T;面内磁场±1.3 T |
磁场分辨率 | 0.01 mT |
磁场均匀性 | 优于±1%@φ1mm |
克尔转角分辨率 | 0.3 mdeg (RMS) |
测试效率 | 12 WPH@±1.3 T/9 sites measurement/200 mm wafer) |
样品重复定位精度 | 优于10μm |
Uptime | 90% |
EFEM | 选配 |
测试功能 | 磁性膜堆/器件阵列的非破坏性磁滞回线测量; |
冀公网安备13110802000160号
