等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD），三温区CVD系统，生长样品腔的管径60-120mm，它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成，极限真空度可达 10^-5 torr 。
主要特点：
1，优势在于薄膜材料、低维纳米材料等的制备（尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂，以及多元二维材料的生长）
2，可选配远程等离子射频发生系统，可用于薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰（尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长，缺陷调控，以及器件制作工艺中的残胶去除）
3，生长工艺设计先进，能满足衬底无催化生长
设备主要技术参数
| 温控参数 | 单位 | |
| 温度 | 1200 | ℃ |
| 功率 | 6.5 | kw |
| 温控精度 | ±1 | ℃ |
| 真空系统 | ||
| 真空泵 | 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) | mbar (Torr) |
| 真空泵(开气镇) | 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) | mbar (Torr) |
| 真空泵(使用PEPE 油) | 1 x 10-2(7.5 x 10-3) | mbar (Torr) |
| 腔体内真空度 | 优于2.0*10-2 | Torr |
| 流量控制参数 | ||
| 泄露率 | ＜4×10-9 | atm-cc/secHe |
| 分辨率 | 全量程的0.1% | |
| 响应时间气特性 | <2 | s |
| 响应时间电特性 | 500 | ms |
| 尾气吸收参数 | ||
| 材质 | 壳体铝合金、不锈钢 | |
| 吸气腔 | 聚四氟乙烯 | |
| 等离子体系统参数 | ||
| 功率输出 | 5 – 300，5 – 500 | W |
| 信号频率 | 13.56 ±0.005% | MHz |
| 反射功率 | 200 | W |
| 功率稳定度 | ±0.1% | |
| 谐波分量 | ≤-50 | dbc |
| 供电电压 | 187V – 253V —- 频率50/60HZ |
冀公网安备13110802000160号