莱伯泰科ICP-MS测定硅片表面金属元素含量

硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面极其少量的杂质元素污染都可能导致器件的功能丧失或可靠性变差。随着半导体工艺制程的不断缩小，对杂质元素污染的控制也越来越严格。莱伯泰科拥有LabMS 3000单四极杆ICP-MS 及LabMS 5000串联四极杆ICP-MS/MS，适用于测定不同尺寸硅片表面金属元素含量；两款仪器均能够与国内及国外先进的全自动金属污染提取设备（VPD系统）集成，实现对硅片表面金属污染的全自动分析。

检测结果：

表1 LabMS 3000s单机检测6寸硅片的检测结果

表2 LabMS 5000单机检测12 寸bare wafer 的检测结果

12寸硅片自动提取检测结果：

集成LabMS 3000s及LabMS 5000的国内及国外品牌的全自动金属污染提取设备（VPD系统）已在多家Fab工厂运行多年。表3和表4分别为某Fab内集成LabMS 3000s ICP-MS 和LabMS 5000ICP-MS/MS的全自动硅片表面污染检测设备自动提取检测12寸bare wafer的检测数据，满足成熟制程或先进制程需求。

表3 LabMS 3000s在线检测12 寸bare wafer 的检测数据（＜2E8）

表4 LabMS 5000在线检测12 寸bare wafer 的检测数据（＜5E7）

对于晶圆制造工厂（Fab）而言，要求检测设备24h不间断安全稳定运行。图1显示了某Fab内集成LabMS 3000s ICP-MS的全自动硅片表面污染检测设备，LabMS 3000s使用一条标准曲线在20天内随机测试不同wafer，监控QC（250ppt 混标）的稳定性，回收率基本在80%～120%范围内，表现了优异的长期稳定性。

图1 12寸硅片在线检测QC长期稳定性-LabMS 3000s ICP-MS

图2显示了某Fab内集成LabMS 5000 ICP-MS/MS的全自动硅片表面污染检测设备，LabMS 5000使用一条标准曲线在20 天内随机测试不同wafer，监控QC（100ppt 混标）的稳定性，回收率基本在80%～120%范围内，表现了优异的长期稳定性。

图2 12寸硅片在线检测QC长期稳定性-LabMS 5000 ICP-MS/MS