德国米铱公司推出的创新型白光干涉仪在高精度距离和厚度测量领域树立了新的行业基准。这些传感器能够实现亚纳米级别的稳定测量结果，同时还具备相对较大的测量范围和偏移距离。
这为测量带来了以下优势：
▪ 即使是移动目标，也能实现高精度的绝对测量
▪ 应用范围广泛：可用于距离测量、多层多峰测量以及薄层厚度测量
▪ 在工业、机械制造、实验室以及半导体行业和真空环境中，均能实现 信号稳定性的最大化
我们的白光干涉仪与采用多色激光干涉仪的工作原理不同。其集成光源使用宽波段光谱，而非特定波长。这意味着在评估接收波 长的叠加情况时，可获取的信息量大幅增加。
实现纳米级精度的最大信号稳定性
米铱公司的干涉仪能够提供精确稳定的测量值，从而实现精确的过程控制。
轻松更换控制器
IMS5400 控制器易于更换 - 无需拆卸传感器或重新校准。
不依赖距离的厚度测量
IMS5400-TH 系统可提供总厚度达 2.1 mm 的单层厚度值。目标物体可在操作范围内自由移动。
无与伦比的精度
IMS5400-DS 和 IMS5600-DS 系统用于绝对距离测量。它们能提供高度精确的测量值，这为距离控制以及移动物体的轮廓测量带来了显著优势。
IMS5420 是一款高性能白光干涉仪，用于单晶硅晶圆的非接触式厚度测量。控制器配备波长范围达 1100 nm 的宽带超辐射发光二极管（SLED）。这使得仅需一套测量系统即可实现对未掺杂、掺杂及高掺杂硅晶圆的厚度测量，且信号稳定性优于 1 nm。根据不同的应用场景，还可提供配具备大偏移距离及带空气吹扫系统的传感器。
特点
未掺杂、掺杂和高掺杂晶片的纳米精确厚度测量
多峰值：最多采集 5 层，SI 厚度为 0.05 至 1.05 毫米
Z 轴分辨率高达 1 nm
测量速率高达 6 kHz，可实现快速测量
以太网/EtherCAT/RS422/PROFINET/EtherNet/IP
通过网页界面轻松实现参数化
精确测量晶圆厚度
由于硅片在 1100nm 波长范围内的光学透明度，IMS5420 干涉仪可以精确检测厚度。在此波长范围内，未掺杂硅片和掺杂硅片都具有足够的透明度。因此，可以检测到高达 1.05 毫米的晶片厚度。气隙的可测量厚度甚至可达 4 毫米。
IMS5420 干涉仪可实现对未掺杂、掺杂及高掺杂硅晶圆的厚度测量，应用范围广泛。该晶圆厚度测量系统特别适用于几何厚度为 500 至 1050 µm、掺杂浓度高达 6 m Ω cm 的单晶硅晶圆。即使随着掺杂度增加导致透明度下降，该系列传感器仍可测量厚度达 0.8 mm 的高掺杂晶圆。
应用
晶圆倾斜测量
白光干涉仪用于在晶圆进料过程中测量其倾斜角度。该干涉仪可提供亚纳米级分辨率的绝对距离值。此种测量方式可确保晶圆在拾取和移除过程中实现尽可能高的位置精度。
研磨过程中的精确厚度测量
在晶圆制造中，将单晶硅锭切割成约为 1 毫米的薄片，再经研磨与抛光以达到所需的厚度和表面光洁度。为实现高工艺稳定性，会在研磨机和抛光机中使用干涉仪进行在线厚度测量。该传感器设计紧凑，可集成于狭小的安装空间。厚度值用于设备控制及晶圆的质量控制。
纳米级分辨率的绝对距离测量
IMS5400-DS 白光干涉仪开启了工业领域测距的新视角。其控制器具有智能评估功能，可在相对较大的工作距离内进行纳米级分辨率 的绝对测量。与其他绝对测量的光学系统相比，IMS5400-DS 在精度、测量范围和工作距离方面提供了无与伦比的组合优势。
小光斑用于最小细节和结构
传感器在整个测量范围内产生一个小光斑。在测量范围的中段，光
斑直径仅为 10 µm，因此可以检测到极小的细节，例如半导体和微 型电子元件上的结构。
台阶轮廓的绝对测量
与基于相对测量的干涉仪不同，IMS5400-DS 还可以测量台阶轮廓。 得益于绝对测量技术，扫描过程中具备极高的信号稳定性和精度。 因此，在测量移动物体时，可以可靠地检测到台阶和凹陷区域的高度差异。