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JHP550专为碳化硅（SiC）器件苛刻测试要求而设计的高精度、高效率、高可靠性测试解决方案，针对碳化硅MOSFET的栅极氧化层，通过监测栅极-漏电流的变化，评估器件在高温、高电场条件下的长期稳定性和可靠性。