日立科学仪器（北京）有限公司  

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专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件，高分辨成像所设计。

• 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
  0.4 nm / 30 kV (SE)
  1.0 nm / 1 kV (SE)
  0.34 nm / 30 kV (STEM)

• 用改良的高真空性能和优异的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

• 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。

• 具有电子光学系统自动调整功能。